IRF640A
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IRF640A MOSFET N-Channel 200V 18A – Transistor de potencia eficiente para conmutación – MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación rápida y manejo de cargas de mediana-alta potencia. Soporta hasta 200V y 18A con baja resistencia de conducción (R<sub>DS(on)</sub>), ideal para fuentes conmutadas, inversores, controladores de motores y sistemas de alimentación. Encapsulado TO-220, adecuado para montaje en disipadores térmicos para una mejor gestión del calor.
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